摘要：通過(guò)對(duì)不同合成條件與制備參數(shù)的量子點(diǎn)及其薄膜進(jìn)行一系列特性表征,實(shí)現(xiàn)銫鉛溴量子點(diǎn)(CsPbBr3)合成條件和薄膜制備參數(shù)的優(yōu)化。利用熱注入的方法,研究了反應(yīng)溫度與反應(yīng)時(shí)間對(duì)CsPbBr3量子點(diǎn)特性的影響。設(shè)計(jì)并獲得了不同合成條件下的CsPbBr3量子點(diǎn)樣品,并對(duì)所有樣品進(jìn)行了特性表征。隨后將所有CsPbBr3量子點(diǎn)樣品制備成薄膜,探究其薄膜的光致發(fā)光特性。反應(yīng)溫度為180℃、反應(yīng)時(shí)間為5s時(shí)所合成的量子點(diǎn)尺寸最小,為9nm;旋涂速度為3000r/min、退火溫度為80℃、退火時(shí)間為10min時(shí),所制備的薄膜光致發(fā)光強(qiáng)度最大。得到了相對(duì)最優(yōu)的CsPbBr3量子點(diǎn)合成條件與CsPbBr3量子點(diǎn)薄膜制備條件。