摘要：ZnO是優(yōu)異的紫外發(fā)光和激光材料,氮被認為是p型ZnO和MgZnO的理想受主摻雜劑,但在較低生長溫度下氮的摻入會顯著破壞晶格完整性,使氧化鋅的載流子遷移率進一步下降。為了研究N的摻入對MgZnO薄膜的影響,利用分子束外延設備在藍寶石襯底上生長了N摻雜的ZnO和MgZnO薄膜。實驗結果表明,在其他條件完全相同的情況下,當Mg源溫度為245℃和255℃時,載流子遷移率會顯著提高,這一現象被歸結為Mg-N成鍵抑制了氧位上N-N對的形成,緩解了晶格的扭曲。同時當Mg源溫度為275℃時,能夠使N摻雜ZnO薄膜中的施主濃度降低一個量級,有利于實現p型摻雜。