摘要：相比傳統(tǒng)的硅基電力電子器件,以碳化硅（Si C）和氮化鎵（Ga N）等寬禁帶半導體制備的新型電力電子器件憑借其優(yōu)異性能被認為是可替代硅基器件的重要選擇?；谖墨I計量方法,本文通過分析新型電力電子器件領域在1990—2017年間發(fā)表的科技論文,發(fā)現(xiàn)該領域的發(fā)展態(tài)勢主要表現(xiàn)以下特征：一是該領域的發(fā)文量至今保持穩(wěn)定增長趨勢,目前仍是全球科學家重點關注的研究方向;二是該領域的研究熱點包括了關鍵材料生長制備的基礎研究與核心器件創(chuàng)新應用兩方面;三是全球國家/機構合作網(wǎng)絡呈現(xiàn)出明顯的區(qū)域合作特點,美日歐在該領域的科研實力處于領先地位,而中國大陸雖然研究規(guī)模不斷變大,但整體質(zhì)量與領先國家仍存在一定差距。針對國內(nèi)外在該領域的發(fā)展態(tài)勢,我國應不斷加強核心技術攻關、強化高水平創(chuàng)新主體建設和形成多元化的研究合作機制,以此加快推動國內(nèi)新型電力電子器件領域的發(fā)展。