《Journal of Semiconductors》雜志社聯(lián)系地址：北京市海淀區(qū)清華東路甲35號。

雜志基本信息介紹

主編：李樹深

影響因子：0.36

出版地區(qū)：北京

國內刊號：11-5781/TN

國際刊號：1674-4926

雜志創(chuàng)刊于1980年，主要獲得過的榮譽有：全國優(yōu)秀科技期刊、中國科技期刊優(yōu)秀期刊等。

《Journal of Semiconductors》雜志文章特色介紹：

<一>半導體材料與器件：介紹半導體材料和器件的研究與應用，包括晶體生長、材料表征和器件制備等方面的科學突破和技術創(chuàng)新。

<二>半導體器件物理與模擬：研究半導體器件的物理原理和模擬方法，包括器件行為、載流子輸運和能帶結構等方面的理論研究和數值模擬。

<三>光電子器件與光學通信：探討光電子器件和光學通信的發(fā)展和應用，包括光纖通信、光電探測和光子集成等方面的科學研究和工程創(chuàng)新。

<四>硅基和復合半導體器件：介紹硅基和復合半導體器件的研究和開發(fā)，包括CMOS微電子器件、功率器件和傳感器等方面的材料和工藝創(chuàng)新。

<五>磁性半導體和自旋電子學：研究磁性半導體和自旋電子學的理論和實踐，包括自旋輸運、自旋操控和磁性存儲等方面的研究成果和應用探索。

<六>半導體光電子學與光子學：介紹半導體光電子學和光子學的進展和應用，包括激光器、發(fā)光器件和光傳感器等方面的物理機制和器件設計。

<七>納米半導體與量子器件：研究納米半導體和量子器件的特性和應用，包括量子點、量子阱和納米線等方面的制備、調控和應用探索。

<八>各向異性和多功能材料：探討各向異性和多功能材料在半導體領域的應用，包括二維材料、有機半導體和過渡金屬氧化物等方面的研究成果和應用前景。

<九>半導體器件可靠性和可持續(xù)性：研究半導體器件的可靠性和可持續(xù)性問題，包括老化機制、失效分析和環(huán)境友好材料等方面的研究和實踐經驗。

<十>新興半導體材料和器件：介紹新興半導體材料和器件的突破和應用，包括有機半導體、拓撲材料和自愈材料等方面的前沿研究和科技創(chuàng)新。