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《Microelectronics Journal》雜志影響錄用的因素有哪些?

來(lái)源:優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-09-18 10:49:27 1011人看過(guò)

《Microelectronics Journal》雜志是一本專(zhuān)注于工程技術(shù)領(lǐng)域的高質(zhì)量期刊,該雜志的錄用率受多種因素影響,想具體了解可聯(lián)系雜志社或咨詢在線客服

《Microelectronics Journal》雜志的錄用率受多種因素影響,具體如下:

年發(fā)文量:《Microelectronics Journal》雜志年發(fā)文量為:293篇。年發(fā)文量較大的期刊,相對(duì)而言錄用率會(huì)高一些。

質(zhì)量與創(chuàng)新性:論文的科學(xué)性、嚴(yán)謹(jǐn)性、數(shù)據(jù)可靠性以及創(chuàng)新性是關(guān)鍵。

期刊分區(qū):《Microelectronics Journal》雜志在中科院的分區(qū)為3區(qū),而在JCR的分區(qū)為Q3。

論文質(zhì)量:包括研究設(shè)計(jì)的合理性、數(shù)據(jù)的可靠性、分析方法的科學(xué)性等。

影響力與排名:《Microelectronics Journal》雜志IF影響因子為:1.9。高影響力的期刊通常對(duì)論文質(zhì)量要求更高,錄用率相對(duì)較低。

審稿流程:嚴(yán)格的多輪審稿流程會(huì)篩選掉部分稿件,導(dǎo)致錄用率下降。

投稿數(shù)量:在特定時(shí)期內(nèi),若大量研究者集中向某期刊投稿,會(huì)導(dǎo)致稿件堆積,錄用率下降。

SCI期刊的錄用率受多重因素影響,作者應(yīng)根據(jù)自身研究特點(diǎn)選擇合適的期刊,并確保稿件質(zhì)量以提高錄用機(jī)會(huì),投稿前務(wù)必仔細(xì)閱讀期刊的投稿指南,并與雜志社保持良好溝通。

《Microelectronics Journal》雜志簡(jiǎn)介

中文簡(jiǎn)稱(chēng):微電子雜志
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)稱(chēng):MICROELECTRON J
出版商:Elsevier
出版周期:Monthly
出版年份:1967年
出版地區(qū):ENGLAND
ISSN:0026-2692
ESSN:1879-2391
研究方向:工程技術(shù) - 工程:電子與電氣

《微電子學(xué)雜志》自 1969 年創(chuàng)刊以來(lái),是一個(gè)傳播微電子系統(tǒng)、電路和新興技術(shù)研究和應(yīng)用的國(guó)際論壇?!段㈦娮訉W(xué)雜志》上發(fā)表的論文都經(jīng)過(guò)同行評(píng)審,以確保其原創(chuàng)性、相關(guān)性和時(shí)效性。因此,該雜志提供了有關(guān)微電子電路和系統(tǒng)的全球定期全面更新。

《微電子學(xué)雜志》誠(chéng)邀撰寫(xiě)描述以下所有領(lǐng)域重要研究和應(yīng)用的論文。涵蓋最新發(fā)展的綜合評(píng)論/調(diào)查論文也將予以考慮。《微電子學(xué)雜志》涵蓋電路和系統(tǒng)。該主題包括但不限于:模擬、數(shù)字、混合和射頻電路及相關(guān)設(shè)計(jì)方法;邏輯、架構(gòu)和系統(tǒng)級(jí)綜合;測(cè)試、可測(cè)試性設(shè)計(jì)、內(nèi)置自測(cè)試;面積、功率和熱分析與設(shè)計(jì);混合域仿真與設(shè)計(jì);嵌入式系統(tǒng);非馮諾依曼計(jì)算及相關(guān)技術(shù)和電路;高復(fù)雜度系統(tǒng)集成的設(shè)計(jì)和測(cè)試; SoC、NoC、SIP 和 NIP 設(shè)計(jì)和測(cè)試;3-D 集成設(shè)計(jì)和分析;新興器件技術(shù)和電路,如 FinFET、SET、自旋電子學(xué)、SFQ、MTJ 等。

也歡迎應(yīng)用方面,例如信號(hào)和圖像處理(包括密碼電路)、傳感器和執(zhí)行器(包括傳感器網(wǎng)絡(luò))、可靠性和質(zhì)量問(wèn)題以及經(jīng)濟(jì)模型。

在中科院分區(qū)表中,大類(lèi)學(xué)科為工程技術(shù)3區(qū), 小類(lèi)學(xué)科為ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程:電子與電氣3區(qū)。

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2023年12月升級(jí)版)

大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 3區(qū) 4區(qū)

名詞解釋?zhuān)?br />中科院分區(qū)也叫中科院JCR分區(qū),基礎(chǔ)版分為13個(gè)大類(lèi)學(xué)科,然后按照各類(lèi)期刊影響因子分別將每個(gè)類(lèi)別分為四個(gè)區(qū),影響因子5%為1區(qū),6%-20%為2區(qū),21%-50%為3區(qū),其余為4區(qū)。

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2022年12月升級(jí)版)

大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 3區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月舊的升級(jí)版)

大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月基礎(chǔ)版)

大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2021年12月升級(jí)版)

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工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)(數(shù)據(jù)版本:2020年12月舊的升級(jí)版)

大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
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