《Semiconductor Science And Technology》雜志的收稿范圍和要求是什么？
來源：優(yōu)發(fā)表網(wǎng)整理 2024-09-18 11:05:09 844人看過
《Semiconductor Science And Technology》雜志收稿范圍涵蓋工程技術全領域，此刊是該細分領域中屬于非常不錯的SCI期刊，在行業(yè)細分領域中學術影響力較大，專業(yè)度認可很高，所以對原創(chuàng)文章要求創(chuàng)新性較高，如果您的文章質(zhì)量很高，可以嘗試。
平均審稿速度 一般,3-6周 ，影響因子指數(shù)1.9。
該期刊近期沒有被列入國際期刊預警名單，廣大學者值得一試。
具體收稿要求需聯(lián)系雜志社或者咨詢本站客服，在線客服團隊會及時為您答疑解惑，提供針對性的建議和解決方案。
出版商聯(lián)系方式：IOP PUBLISHING LTD, DIRAC HOUSE, TEMPLE BACK, BRISTOL, ENGLAND, BS1 6BE
其他數(shù)據(jù)
| 是否OA開放訪問： | h-index： | 年文章數(shù)： |
| 未開放 | 99 | 193 |
| Gold OA文章占比： | 2021-2022最新影響因子（數(shù)據(jù)來源于搜索引擎）: | 開源占比（OA被引用占比）： |
| 10.23% | 1.9 | 0.07... |
| 研究類文章占比：文章 ÷（文章 + 綜述） | 期刊收錄： | 中科院《國際期刊預警名單（試行）》名單： |
| 95.85% | SCIE | 否 |
歷年IF值(影響因子)：
歷年引文指標和發(fā)文量：
歷年中科院JCR大類分區(qū)數(shù)據(jù)：
歷年自引數(shù)據(jù)：
發(fā)文統(tǒng)計
2023-2024國家/地區(qū)發(fā)文量統(tǒng)計：
| 國家/地區(qū) | 數(shù)量 |
| CHINA MAINLAND | 257 |
| USA | 139 |
| India | 121 |
| GERMANY (FED REP GER) | 95 |
| South Korea | 90 |
| England | 64 |
| Japan | 64 |
| France | 55 |
| Russia | 52 |
| Taiwan | 31 |
2023-2024機構(gòu)發(fā)文量統(tǒng)計：
| 機構(gòu) | 數(shù)量 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 63 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY S... | 47 |
| RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES | 42 |
| CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE ... | 41 |
| UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM | 34 |
| IMEC | 20 |
| SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY (SKKU) | 20 |
| FERDINAND-BRAUN-INSTITUT LEIBNIZ... | 18 |
| PEKING UNIVERSITY | 18 |
| XIDIAN UNIVERSITY | 17 |
近年引用統(tǒng)計：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| APPL PHYS LETT | 1311 |
| J APPL PHYS | 761 |
| PHYS REV B | 700 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 412 |
| PHYS REV LETT | 332 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 277 |
| SEMICOND SCI TECH | 276 |
| NANO LETT | 236 |
| THIN SOLID FILMS | 162 |
| J CRYST GROWTH | 150 |
近年被引用統(tǒng)計：
| 期刊名稱 | 數(shù)量 |
| J APPL PHYS | 337 |
| SEMICOND SCI TECH | 276 |
| PHYS REV B | 205 |
| MATER RES EXPRESS | 191 |
| APPL PHYS LETT | 185 |
| JPN J APPL PHYS | 169 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 145 |
| SCI REP-UK | 134 |
| APPL SURF SCI | 118 |
| J MATER SCI-MATER EL | 118 |
近年文章引用統(tǒng)計：
| 文章名稱 | 數(shù)量 |
| beta-Ga2O3 for wide-bandgap elec... | 59 |
| Phase-change materials for non-v... | 53 |
| Metal oxide nanostructures for s... | 29 |
| How to control defect formation ... | 28 |
| Terahertz radiation detectors: t... | 21 |
| Structural, electronic and phono... | 19 |
| Wide-bandgap, low-bandgap, and t... | 18 |
| Biaxial strain tuned electronic ... | 17 |
| A comprehensive device modelling... | 15 |
| The transport and optical sensin... | 15 |
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